带SD220v驱动芯片

EG2004 是一款高性价比的带`SD功能的 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、电平移位电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源 DC - DC 中的驱动电路。 EG2004 高端的工作电压可达 220V，低端 VCC 的电源电压范围宽 10V～20V。该芯片输入通道 IN 内建了一个 250K 下拉电阻，`SD内建了一个 250K 下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态，输出电流能力 IO+/- 0.3/0.6A，采用 SOP8 封装。

MOS驱动芯片

是用作 N 型功率 MOSFET 和 IGBT 等高压、高速功率器件的三相栅极驱动电路，包含三个独立半桥驱动电路。内置死区时间、输入信号滤波、欠压保护和过流保护功能，出现异常可关断六通道输出，适应 5V 或 3.3V 输入电压，输出电流能力 + 0.2A /- 0.35A，用于三相电机驱动等领域，采用 SOP28L 封装

中压300V1A半桥驱动芯片

EG2132 是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。其高端工作电压可达 300V，低端 Vcc 的电源电压范围宽 9V - 20V，静态功耗低。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道 HIN 和 LIN 内建了 200K 下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态，输出电流能力为 I0+/-1.0/1.5A，采用 SOP8 封装。

中压500V1.2A三相半桥驱动芯片

EG2336 是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压保护电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。高端的工作电压可达 600V，低端 VCC 的电源电压范围宽 8V - 20V。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道 HIN 和 LIN 内建了下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态，输出电流能力 IO+0.6A/-1.2A。

中压200V三相半桥驱动芯片

EG2234 是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压保护电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。高端的工作电压可达 200V，低端 VCC 的电源电压范围宽 5V - 20V。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道 HIN 和 LIN 内建了下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态，输出电流能力 IO+1.5A/-2.0A。

中压300V1.2A三相半桥驱动芯片

是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。高端工作电压可达 300V，低端 VCC 电压范围 4.5V - 20V，具有闭锁功能，输出电流能力 I0 + 1.2A - 1.4A，适用于三相直流无刷电机驱动器，采用 TSSOP20 和 QFN24 封装

带SD功能高压600V2A半桥驱动芯片

EG2104 是一款高性价比的带 SD 功能的 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源 DC - DC 中的驱动电路。高端工作电压可达 600V，低端 Vcc 的电源电压范围宽 2.8V - 20V，静态功耗小于 1uA。芯片输入通道 IN 内建 200K 下拉电阻，SD 内建 200K 下拉电阻，输出电流能力为 IO+/-2/2.5A，采用 SOP8 封装。

中压300V1.2A三相半桥驱动芯片

是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。高端工作电压可达 300V，低端 VCC 电压范围 4.5V - 20V，具有闭锁功能，输出电流能力 I0 + 1.2A - 1.4A，用于三相直流无刷电机驱动器，采用 TSSOP20 封装

全桥驱动芯片

EG2226 是一款高性价比的全桥驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、欠压关断电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。高端的工作电压可达 600V，低端 VCC 的电源电压范围宽 10V - 20V，静态功耗低。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道 HIN 和 LIN 内建了 250K 下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态，输出电流能力 IO+/-0.6/1.0A。

带SD全桥驱动芯片

是一款带两个路比较器功能的全桥驱动专用芯片，内部集成逻辑信号输入处理电路、SD 控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。高端工作电压可达 600V，低端 VCC 电源电压范围 10V - 20V，静态功耗低，具有闭锁功能，输出电流能力 I0 + /- 0.3 / 0.6A

带过流保护全桥驱动芯片

是一款带两个路比较器功能的全桥驱动专用芯片，内部集成逻辑信号输入处理电路、SD 控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。高端工作电压可达 600V，低端 VCC 电源电压范围 10V - 20V，静态功耗低，具有闭锁功能，输出电流能力 I0 + /- 0.6A / 1.0A，应用于逆变电源、电动车控制器等领域，采用 SSOP24 封装

高压600V2A两路半桥驱动芯片

高性价比大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，集成 5V 的 LDO 等多种电路。高端悬浮自举电源耐压达 600V，集成两路半桥驱动，适应 5V、3.3V 输入电压，最高频率 500KHZ，低端 VCC 电压范围 3V - 20V，输出电流能力 IO+2.0A - 2.0A，内建死区控制电路，自带闭锁功能，适用于全桥拓扑电源、变频水泵控制器等，采用 SOP28L 封装

带过流保护功能全桥驱动芯片

高性价比带两个路比较器功能的全桥驱动专用芯片，集成逻辑信号处理等多种电路。高端悬浮自举电源耐压达 600V，适应 5V、3.3V 输入电压，最高频率 500KHZ，VCC 和 VB 端欠压关断输出，输出电流能力 I0+/-0.8A/1.3A，SD 低电平关闭 HO 和 LO 输出，过流保护功能，适用于逆变电源、变频水泵控制器等，采用 SSOP24 封装

低压60V半桥驱动芯片

EG3014S 是一款高性价比的大功率 OS 管、IGBT 管极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。其高端工作电压可达 80V，Vcc 的电源电压范围宽 4.5V - 30V，静态功耗低仅 4.5mA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道 HIN 和 LIN 内建了一个 10K 下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态，输出结构采用半桥式达林顿管结构，采用 SOP8 封装。

低压60V半桥驱动芯片

EG3013S 是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。高端工作电压可达 80V，Vcc 的电源电压范围宽 4.5V - 30V，静态功耗低仅 4.5mA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道 LIN 内建了上拉 5V 高电位和 HIN 内建了一个 15K 下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态，输出结构采用半桥式达林顿管结构，采用 SOP8 封装。

低压60V半桥驱动芯片

EG3012S 是一款高性价比的大功率 OS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。高端工作电压可达 80V，Vcc 的电源电压范围宽 11V - 30V，静态功耗低仅 4.5mA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道 HIN 和 LIN 内建了一个 15K 下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态，输出结构采用半桥式达林顿管结构，采用 SOP8 封装。

低压100V驱动芯片

EG5620 是一款高性价比的带 SD 功能的 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区可调电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源 DC - DC 中的驱动电路。其高端工作电压可达 100V，低端 VCC 的电源电压范围宽 5V - 20V。该芯片输入通道 IN 内建了一个 200K 下拉电阻，SD 内建了一个 200K 下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态，输出电流能力 IO+/- 1.8/2.5A，采用 MSOP10 封装。

高压600V驱动芯片

EG2103 是一款高性价比的 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、欠压保护电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源 DC - DC 中的驱动电路。高端工作电压可达 600V，低端 Vcc 的电源电压范围宽 10V - 20V。输入通道 HIN 内建 200K 下拉电阻，LIN 内建 200K 上拉电阻，输出电流能力为 IO+/-0.3/0.6A，采用 SOP8 封装。

中压200V1A大死区半桥驱动芯片

EG3023S 是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。高端工作电压可达 200V，低端 Vcc 的电源电压范围宽 4.5V - 20V，静态功耗小于 100uA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道 HIN 内建了一个 200K 下拉电阻，LIN 内建了上拉 高电位，在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态，输出电流能力 I0+/- 0.6/1A，采用 SOP8 封装。

中压200V1A大死区半桥驱动芯片

EG3023 是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。高端工作电压可达 200V，低端 Vcc 的电源电压范围宽 7V - 20V，静态功耗小于 100uA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道 HIN 内建了一个 200K 下拉电阻，LIN 内建了上拉高电位，在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态，输出电流能力 I0+/- 0.6/1A，采用 SOP8 封装。

中压250V1A半桥驱动芯片

EG2122 是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。高端工作电压可达 250V，低端 VCC 的电源电压范围宽 8V - 20V，静态功耗低。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道 HIN 和 LIN 内建了 200K 下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态，输出电流能力为 I0+/-0.8/1.2A，采用 SOP8 封装。

中压250V1A半桥驱动芯片

EG2121 是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。其高端工作电压可达 250V，低端 VCC 的电源电压范围宽 10V - 20V，静态功耗低。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道 HIN 内部 200K 下拉电阻和 LIN 内部上拉到 5V，在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态，输出电流能力为 10+/-0.8/1.2A，采用 SOP8 封装。

中压200V驱动芯片

EG2003 是一款高性价比的 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、欠压保护电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源 DC - DC 中的驱动电路。高端工作电压可达 200V，低端 Vcc 电源电压范围为 10V - 20V。输入通道 HIN 内建 200K 下拉电阻，LIN 内建 200K 上拉电阻，输出电流能力为 IO+/-0.3/0.6A，采用 SOP8 封装。

中压220V1A驱动芯片

EG2032 是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。高端工作电压可达 220V，低端 VCC 的电源电压范围宽 9V - 20V，静态功耗约 100uA。芯片具有闭锁功能，输入通道 HIN 和 LIN 内建 250K 下拉电阻，输出电流能力为 IO+/-1/1.5A，采用 SOP8 封装。

中压220V1A驱动芯片

EG2031L 是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。高端工作电压可达 220V，低端 VCC 的电源电压范围宽 5V - 20V，静态功耗约 250uA。芯片具有闭锁功能，输入通道 HIN 内建 250K 下拉电阻，LIN 内建上拉电位，输出电流能力为 IO+/-1/1.5A，采用 SOP8 封装。

带SD逐周功能双通道驱动芯片

EG27324 是一款高性价比、带 SD 功能的双路独立驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、电平位移电路、输出驱动电路，用于电机控制器、电源、变压器中的驱动电路。电源电压范围宽 2.8V - 20V，静态功耗小于 1uA，输入通道 INA 以及 INB 各内建了一个 85K 下拉电阻，SD 内建了一个 85K 下拉电阻，在 SD 输入悬空时，不影响 OUTA 与 OUTB 的输出，输出电流能力 10+/-2/2.5A，采用 SOP8 封装。

高压600V半桥驱动芯片

EG2101D 是一款高性价比的 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、欠压保护电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源 DC-DC 中的驱动电路。

高压600V2A半桥驱动芯片

高性价比多功能半桥驱动芯片，集成 5V 线性电源等多种电路。高端工作电压达 600V，低端 Vcc 电源电压范围 10V - 20V，静态功耗小于 1.5mA，具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道有下拉电阻，输出电流能力 I0+/-2A/2.5A，适用于电源、电机等场合，采用 SOP16 封装

低压20V高速低测单通道驱动芯片

EG1416 单通道高速低侧栅极驱动器，可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管、绝缘栅双极型晶体管电源开关。为电容负载提供较高的峰值拉 / 灌电流脉冲，同时提供轨到轨驱动能力以及短的传播延迟。电源电压范围宽 4V - 20V，静态功耗小于 1uA。当 VCC = 12V 时，可提供峰值为 2A 的灌 / 拉（对称驱动）电流驱动能力，采用 SOT23 - 5 封装。

高速低侧单通道驱动芯片

EG27519 单通道高速低侧栅极驱动器，可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管、绝缘栅双极型晶体管电源开关。为电容负载提供较高的峰值拉 / 灌电流脉冲，同时提供轨到轨驱动能力以及短的传播延迟。电源电压范围宽 4V - 20V，外围器件少，IN + 单输入设计，当 VDD = 12V 时，可提供峰值为 4A 的灌 / 拉（对称驱动）电流驱动能力，采用 SOT23 - 5 封装。

高速低侧单通道驱动芯片

EG27517 单通道高速低侧栅极驱动器，可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管、绝缘栅双极型晶体管电源开关。为电容负载提供较高的峰值拉 / 灌电流脉冲，同时提供轨到轨驱动能力以及短的传播延迟。电源电压范围宽 4V - 20V，静态功耗小，双输入设计（可选择反相 IN - 或正相 IN + 驱动器配置），当 VDD = 12V 时，可提供峰值为 4A 的灌 / 拉（对称驱动）电流驱动能力，采用 SOT23 - 5 封装。

带SD功能600V驱动芯片

EG2104M 是一款高性价比的带 SD 功能的 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源 DC - DC 中的驱动电路。高端工作电压可达 600V，低端 Vcc 的电源电压范围宽 10V - 20V。该芯片输入通道 IN 内建了一个 200K 下拉电阻，SD 内建了一个 200K 下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态，输出电流能力为 IO+/-0.3/0.6A，采用 SOP8 封装。

低压20V高速低测单通道驱动芯片

EG44273 单通道高速低侧栅极驱动器，可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管、绝缘栅双极型晶体管电源开关。为电容负载提供较高的 peak 拉 / 灌电流脉冲，同时提供轨到轨驱动能力以及短的传播延迟。电源电压范围宽 4V - 20V，静态功耗小于 1uA。当 VCC = 12V 时，可提供峰值为 2A 的灌 / 拉（对称驱动）电流驱动能力，采用 SOT23 - 5 封装。

带SD逐周功能双通道驱动芯片

EG4427 是一款高性价比、带 SD 功能的双路独立驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、电平位移电路、输出驱动电路，用于电机控制器、电源、变压器中的驱动电路。电源电压范围宽 3V - 20V，静态功耗小于 1uA，输入通道 INA 以及 INB 各内建了一个 100K 下拉电阻，SD 内建了一个 100K 下拉电阻，在 SD 输入悬空时，不影响 OUTA 与 OUTB 的输出，输出电流能力 10+/-1.5/1.5A，采用 SOP8 封装。

单通道8A高速低侧驱动芯片

EG27322 是一款高性价比高速单路驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、电平位移电路、输出驱动电路，用于电机控制器、太阳能逆变电源、开关电源、变压器中的驱动电路。电源电压范围宽 5V - 25V，静态功耗小于 200uA，输入通道 IN 内建了一个 400K 下拉电阻，输入悬空时，QUTA 高阻态，OUTB 输出为低电平，输出电流能力 10+/-9/8A，采用 SOP8 封装。

双通道5A高速低侧驱动芯片

EG27524 是一款高性价比带使能控制的高速双路独立驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、电平位移电路、输出驱动电路，用于电机控制器、太阳能逆变电源、开关电源、变压器中的驱动电路。电源电压范围宽 5V - 25V，静态功耗小于 200uA，输入通道 INA 以及 INB 各内建了一个 400K 下拉电阻，ENA、ENB 内建了一个 200K 上拉电阻，输入悬空时，OUTA、OUTB 输出为低电平，输出电流能力 10+/-5/4A，采用 SOP8 封装。

带SD使能功能MOS驱动芯片

EG27325 是一款高性价比、带 SD 功能的双路独立驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、电平位移电路、输出驱动电路，用于电机控制器、电源、变压器中的驱动电路。电源电压范围宽 2.8V - 20V，静态功耗小于 1uA，输入通道 INA 以及 INB 各内建了一个 85K 下拉电阻，SD 内建了一个 85K 下拉电阻，在 SD 输入悬空时，不影响 OUTA 与 OUTB 的输出，输出电流能力 10+/-2/2.5A，采用 SOP8 封装。

600V三相半桥驱动芯片

是用作 N 型功率 MOSFET 和 IGBT 等高压、高速功率器件的三相栅极驱动电路，主要包含三个独立的半桥驱动电路，具备欠压保护、输入噪声滤波、死区时间控制、过流保护等功能，适应 5V 或 3.3V 输入电压，输出电流能力 + 0.2A /- 0.35A，应用于三相电机驱动等，采用 SOP28L 封装

双通道驱动芯片

EG3003 是一款高性价比的双通道大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、输出驱动电路，用于电机控制器、电源、变压器中的驱动电路。电源电压范围 11V - 20V，静态功耗小于 100uA，具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道 INA 内建了一个 200K 下拉电阻，INB 内建了上拉 5V 高电位，在输入悬空时使功率 MOS 管处于关闭状态，输出电流能力 10+/-1/1.5A，采用 SOP8 封装。

带比较器SD功能单通道驱动芯片

EG3002 是一款单通道高性价比的功率 MOSFET 管或大功率双极性晶体管门极或基极驱动专用芯片，内部集成了输入逻辑信号处理电路、快速比较器、SD 快速关断处理电路及大电流输出驱动电路，专用于电源转换器及电机控制器等的功率 MOSFET 管驱动器。电源电压范围宽 3V - 30V，静态功耗低仅 2mA，输出结构具有独立的源出电流 OUTD 端和吸入电流 OUTS 端引脚，可用来独立地调节输入到 MOSFET 管 G 极的上升沿时间和下降沿时间。

带SD功能单通道驱动芯片

EG3001 是一款单通道高性价比的功率 MOSFET 管或大功率双极性晶体管门极或基极驱动专用芯片，内部集成了输入逻辑信号处理电路、SD 快速关断处理电路及大电流输出驱动电路，专用于电源转换器及电机控制器等的功率 MOSFET 管驱动器。电源电压范围宽 3V - 30V，静态功耗低仅 2mA，输出结构具有独立的源出电流 OUTD 端和吸入电流 OUTS 端引脚，可用来独立地调节输入到 MOSFET 管 G 极的上升沿时间和下降沿时间。

三相P+N MOS管驱动芯片

EG3035 是一款高性价比三相 PMOS、NMOS 管栅极驱动专用芯片，内部集成了 LDO、死区时控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、输出驱动电路，用于电机控制器、电源的驱动电路。电源电压范围 6V - 36V，静态功耗小于 1mA。该芯片集成 5V 输出 LDO，可为外部 MCU 等器件供电。当输入电压超过 12V 时，为了更好的匹配 P/N MOS 管，LO 输出最高电压为 11V，HO 输出最低电压为 VCC 减去 11V。LO 输出电流能力 IO+/-0.045/0.28A，HO 输出电流能力 IO+/-0.26/0.04A。

带SD功能600V驱动芯片

EG2104S 是一款高性价比的带 SD 功能的 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源 DC - DC 中的驱动电路。高端工作电压可达 600V，低端 Vcc 的电源电压范围宽 10V - 20V。该芯片输入通道 IN 内建了一个 200K 下拉电阻，SD 内建了一个 200K 下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态，输出电流能力为 IO+/-1.0/1.5A，采用 SOP8 封装。

三相P+N MOS管驱动芯片

EG3032 是一款高性价比三相 PMOS、NMOS 管栅极驱动专用芯片，内部集成了 LDO、死区时控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、输出驱动电路，用于电机控制器、电源的驱动电路。电源电压范围 6V - 36V，静态功耗小于 1mA。该芯片集成 3.3V 输出 LDO，可为外部 MCU 等器件供电。当输入电压超过 12V 时，为了更好的匹配 P/N MOS 管，LO 输出最高电压为 12V，HO 输出最低电压为 VCC 减去 12V。LO 输出电流能力 IO+/-0.037/0.11A，HO 输出电流能力 IO+/-0.23/0.02A。

三相P+N MOS管驱动芯片

EG3033 是一款高性价比三相 PMOS、NMOS 管栅极驱动专用芯片，内部集成了 LDO、死区时控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、输出驱动电路，用于电机控制器、电源的驱动电路。电源电压范围 6V - 36V，静态功耗小于 1mA。该芯片集成 5V 输出 LDO，可为外部 MCU 等器件供电。当输入电压超过 12V 时，为了更好的匹配 P/N MOS 管，LO 输出最高电压为 11V，HO 输出最低电压为 VCC 减去 11V。LO 输出电流能力 IO+/-0.045/0.28A，HO 输出电流能力 IO+/-0.26/0.04A。

低压65V1.5A三相半桥驱动芯片

是一款高性价比的大功率 MOS 管的三相独立栅极驱动专用芯片，内部集成逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压保护电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路、自举二极管、5V LDO 和 12V LDO 电路及输出驱动电路，高端工作电压可达 70V，低端 VCC 电压范围 4.5V - 20V，输出电流能力 I0 + 1.5A /- 1.8A，适用于 12V 和 24V 的三相电机应用，采用 SSOP24 封装

高压600V1.2A三相半桥驱动芯片

EG2334 是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。高端的工作电压可达 600V，低端 VCC 的电源电压范围宽 4.5V - 20V。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道 HIN 和 LIN 内建了下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态，输出电流能力 IO+1.2A - 1.4A。

650V三相半桥驱动芯片

EG21364 是用作 N 型功率 MOSFET 和 IGBT 等高压、高速功率器件的三相栅极驱动电路，主要包含三个独立的半桥驱动电路。内置死区时间，可确保功率管上下桥臂不会同时导通。内置输入信号滤波，防止噪声干扰。提供外部使能控制可同时关断六通道输出。此外，它还具有欠压保护和过流保护功能，出现异常时立即关断六通道输出。

高压600V驱动芯片

EG2108 是一款高性价比的 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、欠压保护电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源 DC - DC 中的驱动电路。高端工作电压可达 600V，低端 VCC 的电源电压范围宽 10V - 20V。该芯片输入通道 HIN 内建了一个 200K 下拉电阻，LIN 内建了一个 200K 下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态，输出电流能力为 IO+/-0.3/0.6A，采用 SOP8 封装。

高压600V2A驱动芯片

EG2181D 是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。高端工作电压可达 600V，低端 VCC 的电源电压范围宽 10V - 20V，静态电流约 200uA。输入通道 HIN 和 LIN 内建了一个 200K 下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态，输出电流能力为 IO+/- 2/2.5A，采用 SOP8 封装。

中压260V1.2A三相半桥驱动芯片

高性价比大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，集成逻辑信号处理等多种电路。高端悬浮自举电源耐压达 260V，集成三路独立半桥驱动，适应 5V、3.3V 输入电压，最高频率 500KHZ，低端 VCC 电压范围 5V - 20V，输出电流能力 IO+0.8A - 1.2A，VCC 和 VB 带欠压保护，内建死区控制电路，自带闭锁功能，适用于三相直流无刷电机驱动器，采用 TSSOP20 和 QFN24 封装

高压600V2A半桥驱动芯片

EG21814 是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。高端工作电压可达 600V，低端 Vcc 的电源电压范围宽 10V - 20V，静态电流约 200uA。输入通道 HIN 和 LIN 内建了一个 200K 下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态，输出电流能力 IO+/- 2.5/3A，采用 SOP14 封装。

高压600V2A半桥驱动芯片

EG2181 是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。高端工作电压可达 600V，低端 Vcc 的电源电压范围宽 3.5V - 20V，静态功耗小于 5uA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道 HIN 和 LIN 内建了一个 200K 下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态，输出电流能力为 IO+/- 2/2.5A，采用 SOP8 封装。

带SD功能高压600V2A半桥驱动芯片

EG2130 是一款高性价比的带 SD 功能的 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源 DC - DC 中的驱动电路。高端工作电压可达 600V，低端 Vcc 的电源电压范围宽 2.8V - 20V，静态功耗小于 1uA。该芯片输入通道 IN 内建了一个 200K 下拉电阻，SD 内建了一个 200K 下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态，输出电流能力为 I0+/-2/2.5A，采用 SOP8 封装。

高压650V2.5A驱动芯片

EG2110 是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。高端工作电压可达 650V，低端 Vcc 的电源电压范围宽 10V - 20V，静态功耗小于 180uA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道 HIN 和 LIN 内建了一个 250K 下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态，输出电流能力为 IO+/-2.5A/2.5A，采用 SOP16 和 SOW16 封装。

高压600V2A半桥驱动芯片

EG2113D 是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。高端工作电压可达 600V，低端 Vcc 的电源电压范围宽 10V - 20V，静态功耗小于 50uA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道 HIN 和 LIN 内建了一个 200K 下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态，输出电流能力为 IO+/-2A/2A，采用 SOP16 和 SOW16 封装。

MOS驱动芯片

EG2113S 是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。高端工作电压可达 600V，低端 Vcc 的电源电压范围宽 2.8V - 20V，静态功耗小于 5uA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道 HIN 和 LIN 内建了一个 200K 下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态，输出电流能力为 IO+/-2A/2A，采用 SOP16（宽体）封装。

高压600V半桥驱动芯片

EG27710 是一款高性价比的 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、欠压保护电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源 DC - DC 中的驱动电路。高端工作电压可达 600V，低端 VCC 的电源电压范围宽 10V - 25V。该芯片输入通道 HIN 内建了一个 200K 下拉电阻，LIN 内建了一个 200K 下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态，输出电流能力 I0+/-0.6/1.0A，采用 SOP8 封装。

高压600V半桥驱动芯片

EG6388 是一款高性价比的 MOS 管、GBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、欠压保护电路、死区电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源 DC - DC 中的驱动电路。高端工作电压可达 600V，低端 VCC 的电源电压范围宽 10V - 25V。该芯片输入通道 HIN 内建了一个 200K 下拉电阻，LIN 内建了一个 200K 下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态，输出电流能力 I0+/-0.5/0.9A，采用 SOP8 封装。

高压600V半桥驱动芯片

EG2304 是一款高性价比的 MOS 管、GBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、欠压保护电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源 DC - DC 中的驱动电路。高端工作电压可达 600V，低端 VCC 的电源电压范围宽 10V - 25V。该芯片输入通道 HIN 内建了一个 200K 下拉电阻，LIN 内建了一个 200K 下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态，输出电流能力为 I0+/-0.3/0.6A，采用 SOP8 封装。

高压600V2A驱动芯片

EG2183D 是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。高端工作电压可达 600V，低端 Vcc 的电源电压范围宽 8V - 20V，静态功耗小于 300uA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道 HIN 内建了一个 200K 下拉电阻，LIN 内建了上拉 5V 高电位，在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态，输出电流能力为 I0+/-2/2.5A，采用 SOP8 封装。

三相独立半桥驱动芯片

高性价比大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，集成逻辑信号处理等多种电路。高端悬浮自举电源耐压达 260V，集成三路独立半桥驱动，适应 5V、3.3V 输入电压，最高频率 500KHZ，低端 VCC 电压范围 7V - 20V，输出电流能力 IO+0.8A - 1.2A，VCC 和 VB 带欠压保护，内建死区控制电路，自带闭锁功能，适用于三相直流无刷电机驱动器，采用 TSSOP20 封装

带过流保护功能半桥驱动芯片

EG2107 是一款高性价比带 CS 逐周保护功能半桥驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时间控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。高端工作电压可达 600V，低端 Vcc 的电源电压范围宽 8V - 25V，静态功耗低。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道 IN 内建了 250K 下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态，输出电流能力为 IO+/-0.8/1.3A，采用 SOP8 封装。

高压600V半桥驱动芯片

EG2203 是一款高性价比的 MOS 管、GBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、欠压保护电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源 DC - DC 中的驱动电路。高端工作电压可达 600V，低端 VCC 的电源电压范围宽 10V - 25V。该芯片输入通道 HIN 内建了一个 200K 下拉电阻，LIN 内建了一个 200K 上拉电阻，在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态，输出电流能力为 10+/-0.5/1.0A，采用 SOP8 封装。

高压600V半桥驱动芯片

EG2206 是一款高性价比的 MOS 管、GBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、欠压保护电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源 DC - DC 中的驱动电路。其高端工作电压可达 600V，低端 VCC 的电源电压范围宽 10V - 25V。该芯片输入通道 HIN 内建了一个 200K 下拉电阻，LIN 内建了一个 200K 下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态，输出电流能力为 I0+/-0.5/1.0A，采用 SOP8 封装。

中压220V驱动芯片

EG2005 是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。高端工作电压可达 220V，低端 VCC 的电源电压范围宽 10V - 20V，静态功耗约 100uA。芯片具有闭锁功能，输入通道 HIN 和 LIN 内建 250K 下拉电阻，输出电流能力为 IO+/-0.3/0.6A，采用 SOP8 封装。

高压600V半桥驱动芯片

EG2101 是一款高性价比的 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、欠压保护电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源 DC - DC 中的驱动电路。高端工作电压可达 600V，低端 VCC 的电源电压范围宽 10V - 25V。输入通道 HIN 内建 250K 下拉电阻，LIN 内建 250K 下拉电阻，输出电流能力为 IO+/-0.3/0.6A，采用 SOP8 封装。

高压600V半桥MOS驱动芯片

EG2106D 是一款高性价比的 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、欠压保护电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源 DC - DC 中的驱动电路。高端工作电压可达 600V，低端 Vcc 的电源电压范围宽 10V - 25V。该芯片输入通道 HIN 内建了一个 200K 下拉电阻，LIN 内建了一个 200K 下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态，输出电流能力为 IO+/-0.3/0.6A，采用 SOP8 封装。

高压600V驱动芯片

EG2106 是一款高性价比的 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、欠压保护电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源 DC - DC 中的驱动电路。高端工作电压可达 600V，低端 VCC 的电源电压范围宽 10V - 20V。该芯片输入通道 HIN 内建了一个 200K 下拉电阻，LIN 内建了一个 200K 下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态，输出电流能力为 IO+/-0.3/0.6A，采用 SOP8 封装。

带SD600v半桥驱动芯片

EG2302 是一款高性价比的带 SD 功能的 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源 DC - DC 中的驱动电路。高端工作电压可达 600V，低端 VCC 的电源电压范围宽 5V - 25V。该芯片输入通道 IN 内建了一个 200K 下拉电阻，SD 内建了一个 500K 上拉电阻，在输入 SD 为低电平时，使上、下功率 MOS 管处于关闭状态，输出电流能力为 10+/-0.3/0.6A，采用 SOP8 封装。

带SD600v半桥驱动芯片

EG2204 是一款高性价比的带 SD 功能的 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源 DC - DC 中的驱动电路。高端工作电压可达 600V，低端 VCC 的电源电压范围宽 9V - 25V。该芯片输入通道 IN 内建了一个 200K 下拉电阻，SD 内建了一个 200K 下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态，输出电流能力为 I0+/-0

带SD600v半桥驱动芯片

EG2104D 是一款高性价比的带 SD 功能的 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源 DC - DC 中的驱动电路。其高端工作电压可达 600V，低端 VCC 的电源电压范围宽 9V - 25V。该芯片输入通道 IN 内建了一个 200K 下拉电阻，SD 内建了一个 200K 下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态，输出电流能力为 IO+/-0.3/0.6A，采用 SOP8 封装。

高压600V2A半桥驱动芯片

EG3113 是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。其高端工作电压可达 600V，低端 Vcc 的电源电压范围宽 2.8V - 20V，静态功耗小于 5uA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道 HIN 内建了一个 200K 下拉电阻，LIN 内建了上拉 5V 高电位，在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态，输出电流能力 I0+/-2/2.5A，采用 SOP8 和 DFN8 封装。

中压220V1A驱动芯片

EG2031 是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。高端工作电压可达 220V，低端 VCC 的电源电压范围宽 11V - 20V，静态功耗约 100uA。芯片具有闭锁功能，输入通道 HIN 内建 250K 下拉电阻，LIN 内建上拉电位，输出电流能力为 IO+/-1/1.5A，采用 SOP8 封装。

中压220V1A驱动芯片

EG2011 是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。高端工作电压可达 220V，低端 VCC 的电源电压范围宽 10V - 20V，静态功耗约 100uA。芯片具有闭锁功能，输入通道 HIN 和 LIN 内建 250K 下拉电阻，输出电流能力为 IO+/-1.0/1.0A，采用 SOP8 封装。

高压600V2A半桥驱动芯片

高性价比多功能半桥驱动芯片，集成 5V 线性电源等多种电路。高端工作电压达 600V，低端 Vcc 电源电压范围 10V - 20V，静态功耗小于 1.5mA，具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道有下拉电阻，输出电流能力 I0+/-2A/2.5A，适用于电源、电机等场合，采用 SOP16 封装

中压220V1A驱动芯片

EG2131D 是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。高端工作电压可达 220V，低端 VCC 的电源电压范围宽 11V - 20V，静态功耗大约 100uA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道 HIN 内建了一个 250K 下拉电阻，LIN 内建了上拉高电位，在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态，输出电流能力为 I0+/-1/1.5A，采用 SOP8 封装。

中压300V1A驱动芯片

EG2131 是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。高端工作电压可达 300V，低端 Vcc 的电源电压范围宽 11V - 20V，静态功耗小于 100uA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道 HIN 内建了一个 200K 下拉电阻，LIN 内建了上拉 5V 高电位，在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态，输出电流能力为 I0+/-1/1.5A，采用 SOP8 封装。

高压600V自振荡半桥驱动芯片

EG2153 是一种高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器，内部集成了高压半桥驱动电路和一个振荡器，形成一款多功能，更加安全的功率驱动芯片。CT 管脚具有保护关断功能，可以用一个电压信号使驱动器停止输出。VDD 上电低于开启电压时，输出低电平，超过开启阈值，驱动器就能稳定的频率振荡。