集成600V2A半桥驱动PWM控制芯片
是一款高压半桥 PWM 控制芯片,内部集成 5V 基准电源、振荡器、误差放大器、限流保护、软启动电路、半桥驱动电路等功能,非常适合高压大功率场合应用,配合外部高压 MOS 管最高能支持 600V 电源电压输入
高性能 PWM锁存控制 死区可调
EG1165 | SOP16 | 集成600V2A半桥驱动PWM控制芯片 | 获取芯片样品 |
EG1165S | SOP16 | 集成600V半桥驱动PWM控制器 | 获取芯片样品 |
EG3525S | SOP16 | 推挽半桥PWM控制芯片 | 获取芯片样品 |
EG3846 | SOP16 | 电流模式推挽半桥PWM控制芯片 | 获取芯片样品 |
EG7500 | SOP16/DIP16 | 推挽半桥PWM控制芯片 | 获取芯片样品 获取Demo板 |
集成600V2A半桥驱动PWM控制芯片
是一款高压半桥 PWM 控制芯片,内部集成 5V 基准电源、振荡器、误差放大器、限流保护、软启动电路、半桥驱动电路等功能,非常适合高压大功率场合应用,配合外部高压 MOS 管最高能支持 600V 电源电压输入
集成600V半桥驱动PWM控制器
与 EG1165 类似,是一款高压半桥 PWM 控制芯片,内部集成 5V 基准电源、振荡器、误差放大器、限流保护、软启动电路、半桥驱动电路等功能,适合高压大功率场合应用,配合外部高压 MOS 管最高能支持 600V 电源电压输入,其 Vcc 引脚端的开启电压和关闭电压等参数与 EG1165 有所不同
推挽半桥PWM控制芯片
芯片内置了 5.1V 基准电压源、100Hz - 500KHz 宽频率振荡器、软启动电路、误差放大器、PWM 比较器、欠压封锁电路及功率管输出驱动电路等。具有同步时钟功能,可以工作在主从模式,也可以与外部系统时钟信号同步,为设计提供了极大的灵活性。在 CT 引脚和 Discharge 引脚之间加入一个电阻就可以实现对死区时间的调节功能
电流模式推挽半桥PWM控制芯片
采用定频电流模式控制,改善了系统的线电压调节率和负载响应特征,简化了控制环路的设计。内置精度达 1% 带隙可调基准电压、高频振荡器、误差放大器、差动电流检测放大器、欠电压锁定电路以及软启动电路,具有推挽变换自动对称校正、并联运行、外部关断、双脉冲抑制以及死区时间调节等功能
推挽半桥PWM控制芯片
芯片内置了两个误差放大器、一个外部可调振荡器,死区控制比较器,PWM 功能控制电路,5V 精度 ±1% 的基准电压,和功率管输出驱动电路等。两个误差放大器的共模电压范围为 - 0.3V to Vcc - 2V。死区控制比较器输出固定的失调电压产生 5% 左右的死区时间。输出三极管可接成共发射极或射极跟随输出 2 种方式,因而可以选择双端推挽输出或单端输出方式。在推挽输出方式时,两路驱动脉冲相差 180 度,在单端方式时,其两路驱动脉冲为同步同相