产品详情
载波频率
20KHz
输出频率
50Hz60Hz
死区时间
300nS/500nS/1uS/1.5uS
封装
QFN70
- 采用电流模式、中心对齐 PWM 调制方式，能带感性和容性负载
- SPWM 载波频率 20KHz，适合大功率 MOS 管和 IGBT 管的应用
- 集成了两路 600V 半桥高压 MOS 管驱动器，驱动能力为 ±2A
- 集成四路独立的 MOS 管峰值电流保护电路及内置四路 200mV 基准源的比较器供用户设定保护值
- 集成了四路高速运放及一路高速比较器，两路运放用于交流电流放大器，一路运放用于交流输出电压反馈，一路运放用于短路保护和一路比较器用于限流保护
- 输出电压和输出电流是每个 PWM 周期实时处理，能实现精确跟踪
- 集成同步过零信号输出及可设置的 0 度 / 120 度相位跟踪，通过级联方式实现组三相逆变器功能
- 支持多机应用
- 单相纯正弦波逆变器
- 三相纯正弦波逆变器
- 不间断电源 UPS 系统
- 光伏发电逆变器
- 风力发电逆变器
- 锂发电机
- 储能电机
EG8025 是一款采用电流模式、中心对齐 PWM 调制方式和内置两路 600V 半桥高压 MOS 驱动器等一体的数模结合芯片，专用于逆变器产品。该芯片采用 CMOS 工艺，内部的主要模块为 SPWM 正弦发生器、死区时间控制电路、多路反馈及保护处理电路、UART 串口通讯模块等功能。采用 LQFP80 和 QFN70 两种封装，只需少量的外围器件，即可实现空载波形失真率小于 1.5%、满载波形失真率小于 3% 和高精度输出电压的特性，能满足逆变器行业的波形要求。集成了完善的保护功能、串口通讯功能和多机应用功能，还集成了四路独立的 MOS 管峰值电流保护电路及内置四路 200mV 基准源的比较器