大功率MOS管、IGBT管栅极驱动芯片

在产

5845

芯片特点

    • 高端悬浮自举电源设计,耐压可达80V

    • 内建死区控制电路

    • 自带闭锁功能,彻底杜绝上、下管输出同时导通

    • 采用半桥达林顿管输出结构具有1A大电流栅极驱动能力

    • 专用于无刷电机N沟道MOS管、IGBT管栅极驱动

    • HIN输入通道高电平有效,控制高端HO输出

    • LIN(______) 输入通道低电平有效,控制低端LO输出

    • 外围器件少

    • 静态电流小:4.5mA

    • 封装形式:SOP-8


芯片描述

EG3013S是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,专用于无刷电机控制器中的驱动电路。

EG3013S高端的工作电压可达80V,Vcc的电源电压范围宽4.5V~30V,静态功耗低仅4.5mA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通,输入通道LIN内建了上拉5V高电位和HIN内建了一个15K下拉电阻,在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态,输出结构采用半桥式达林顿管结构,采用SOP8封装。

应用领域

    • 电动摩托车控制器

    • 电动自行车控制器

    • 80V降压型开关电源

    • 变频水泵控制器

    • 无刷电机驱动器

    • 高压Class-D类功放

技术文档

资源名称 资源类型 资源版本
EG3013S芯片数据手册 pdf   V1.0