芯片特点
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默认高精度5V输出
集成500V高压MOSFET
高压启动电路
超低系统成本
支持降压和升降压电路
开关式峰值电流模式控制
待机功率小于50mW
集成31KHz带抖频功能振荡器
内置软启动
超低VDD工作电流
内置保护保护功能:
过载保护（OLP）
过热保护(OTP)
逐周期电流限制(OCP)
前沿消隐(LEB)
VDD欠压保护
封装SOT23-3L
芯片描述
EG1120是一款非隔离型、高集成度且低成本的PWM功率开关，适用于降压型和升降压型电路。
EG1120采用高压单晶圆工艺，在同一片晶圆上集成有500V高压MOSFET和采用开关式峰值电流模式控制的控制器。在全电压输入的范围内可以保证高精度的5V默认输出。在芯片内部，PWM频率固定为31kHz且带有抖频功能。同时，芯片设计有轻重载模式，可轻松获得低于50mW的待机功耗。
EG1120内置有完备的保护功能：VDD欠压保护、逐周期电流限制、过热保护、过载保护和短路保护等。
应用领域
小家电
线性稳压器
技术文档
| 资源名称 | 资源类型 | 资源版本 | 下载次数 | 更新时间 |
|---|---|---|---|---|
| EG1120芯片数据手册 | V1.0 |