高压650V半桥MOS管驱动芯片

在产

737

芯片特点

  • n 高端悬浮自举电源设计,耐压可达650V

    n 最高频率支持500KHZ

    n 低端VCC电压范围10V-20V

    n 输出电流能力IO+/- 2.5A/2.5A

    n 内建死区控制电路

    n 自带闭锁功能,彻底杜绝上、下管输出同时导通

    n HIN输入通道高电平有效,控制高端HO输出

    n LIN输入通道高电平有效,控制低端LO输出

    n 静态电流小于180uA

    n 封装形式:SOW16和SOP16

    n 无铅无卤符合ROHS标准


芯片描述

EG2110是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,专用于无刷电机控制器中的驱动电路。

EG2110高端的工作电压可达650V,低端Vcc的电源电压范围宽10V20V,静态功耗小于180uA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通,输入通道HINLIN 内建了一个250K下拉电阻,在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态,输出电流能力IO+/- 2.5A/2.5A,采用SOP16SOW16封装。


应用领域

    n 正弦波逆变器

    n 变频水泵控制器

    n 方波逆变器

    n 电动车控制器

    n 无刷电机驱动器


技术文档

资源名称 资源类型 资源版本
EG2110芯片数据手册 pdf   V1.0